| 구분 | 내용 | |
|---|---|---|
| 수업연한 | 석사과정 | 2년 이상 |
| 박사과정 | 2년 이상 | |
| 통합과정 | 4년 이상 | |
| 연계과정 | 4년 이상 | |
| 학점이수 | 석사과정 | 33학점 이상 (교과 21, 연구 12) |
| 박사과정 | 72학점 이상 (교과 36, 연구 36) | |
| 통합과정 | 60학점 이상 (교과 36, 연구 24) | |
| 연계과정 | 60학점 이상 (교과 36, 연구 24) | |
| * 교육과정운영 및 이수에 관한 요령 제10조 기준 | ||
| 평점평균 | 전 학기 평점평균 3.0/4.3 이상 | |
| 종합시험 | 박사학위 취득 시, 과정별 기한 내 종합시험에 통과 | |
| 학위논문 | 과정별 기한 내에 학위논문계획서 심사합격 후, 학위청구논문 심사합격 및 완성논문 제출 | |
| 조교 수행 | DGIST 기초학부 또는 대학원에서 1학기 이상 수행 (2016년도 입학생부터) | |
| 구분 | 석사과정 | 박사과정 | 통합·연계과정 | 비고 |
|---|---|---|---|---|
| 교과학점 | 21학점 이상 | 36학점 이상 | 36학점 이상 |
|
| 연구학점 | 9학점 이상 | 30학점 이상 | 21학점 이상 |
|
| 3학점 이상 | 6학점 이상 | 3학점 이상 |
|
|
| 과정별 취득학점 | 33학점 이상 | 72학점 이상 | 60학점 이상 |
박사, 통합, 연계과정생의 경우, 전기전자컴퓨터공학과에서 정한 규정에 따라 아래 항목들을 최소 충족해야 함
SCI(E)급 학술지 및 최고수준 학회 리스트 [별첨1] 참조
상위 10%는 2편, 그 외에는 1편 인정
공동 주저자의 경우 0.75의 가중치 적용 (예: 공동 주저자 상위 10% 논문 1편의 경우; 2편(상위10%) × 0.75 (가중치) = 1.5편으로 인정)
IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits (VLSI)
International Electron Devices Meeting (IEDM)